微電子學
所屬欄目：電子信息期刊 熱度： 時間：
《微電子學》
關注()- 期刊周期：雙月刊
- 期刊級別：北大核心
- 國內統一刊號：50-1090/TN
- 國際標準刊號：1004-3365
- 主辦單位：四川固體電路研究所
- 主管單位：工業和信息化部
- 查看微電子學近十年數據入口>>>
- 上一本期雜志：《微電子學與計算機》電子科技論文發表
- 下一本期雜志：《核電子學與探測技術》電子科技論文
【雜志簡介】
《微電子學》是技術類期刊。傳播、普及、推廣 微電子科學技術知識，介紹國內微電子行業的最新研究成果和國外微電子業界的發展動態。有關微電子學基礎理論，微電子器件與電路, 集成電路，半導體工藝和制造技術，集成電路封裝技術，多芯片組件技術，集成電路可靠性技術，片上系統，集成系統等領域的研究論文、技術報告、綜合評述、產品應用等內容。該刊重點檢索刊物、數據庫、期刊網站所收錄，是中國核心期刊之一。
【收錄情況】
國家新聞出版總署收錄
中文核心期刊
信息產業部優秀電子科技期刊
中國期刊方陣“雙效”期刊
國外數據庫收錄：俄羅斯文摘雜志、美國化學文摘、英國物理學、電技術、計算機及控制信息社數據庫
【欄目設置】
本刊主要刊登有關微電子學基礎理論，微電子器件與電路, 集成電路，半導體工藝和制造技術，集成電路封裝技術，多芯片組件技術，集成電路可靠性技術，片上系統，集成系統等領域的研究論文、技術報告、綜合評述、產品應用等內容。
雜志優秀目錄參考：
一種寬輸入范圍高電源抑制比的帶隙基準源 韓雨衡;趙少敏;劉增鑫;賀婭君;華浩翔;張國俊417-420
一種高效率寬電壓輸入混合集成開關電源設計 柴漢冬;尹華421-424+428
一種高電源抑制比的全MOS電壓基準源設計 唐俊龍;肖正;周斌騰;謝海情425-428
一種USB電源管理芯片雙門限限流保護電路 譚玉麟;馮全源429-432
一種低相位噪聲鎖相環頻率合成器的設計 李通;陳志銘;桂小琰433-436+440
一種基于全差分積分器的時鐘穩定電路設計 羅凱;朱璨;胡剛毅437-440
基于90nm CMOS工藝的37GHz分頻器 安鵬;陳志銘;桂小琰441-443+448
一種電流型非線性補償帶隙基準的設計 徐鵬程;尹桂珠;韓志剛444-448
帶使能端及保護電路的LDO設計 汪雪琴;李力南;歐文;翟鵬飛;毛少博449-453
一種用于TRIAC導通角測量的時鐘振蕩電路 周英娜;郭寶明;馮玲玲;李威454-456+460
一種高CMRR高增益運算放大器的設計 何澤煒;郭俊;張國俊457-460
可集成于汽車電壓調節器的高性能振蕩電路 王建衛;李佐;張鳳玲;張輝461-464
一種電流自適應溫度的LED驅動電路 武世明;曾以成;陶亮465-468+473
一種用于PIR控制芯片的級聯積分梳狀濾波器 徐進;李澤宏;王子歐;江猛469-473
一種有效實現IC時序收斂的方法 祝雪菲;張萬榮;萬培元;林平分;王成龍;劉文斌474-478+483
單粒子瞬態脈沖的片上測量 蔣見花;向一鳴;周玉梅479-483
基于肖特基勢壘二極管整流的功率指示計設計 李琰;肖知明;俞航;劉少華;Amara AMARA484-487
高精度電流模式四象限乘法器的設計與應用 吳湘鋒;李志軍;張黎黎488-491+496
準諧振正激變換器零電壓開關設計 吳限;王強;蔣云楊492-496
電子科技論文發表：基于北斗搜尋救助定位系統的定位終端設計
摘 要：北斗搜尋救助定位終端是整個系統的核心，該文設計了一套適用于弱勢群體定位終端，重點講述了該終端的定位模塊、單片機模塊以及無線通信模塊的電路設計，并通過硬件電路調試，將終端成功運行起來，北斗接收終端通過串口調試助手進行測試，結果表明北斗接收機能夠正常接收來自北斗衛星和GPS衛星的導航信息，并且能接收和發送短信。
關鍵詞：北斗衛星,定位終端,無線通信
現今我們在不熟悉的場所唯一依賴的 GPS或衛星電話，這些對老人、兒童以及智障人士來說無疑是毫無用處的，而危險無處不在，如果無法及時掌握這些人的動態信息，可能會導致悲劇的發生。因此設計一套基于北斗衛星導航的搜尋救助系統是非常有必要的。在搜尋救助系統中定位終端需要帶在行人的身上，才可以對其進行實時的監控、跟蹤，因此如何設計較小的定位終端在搜尋救助定位系統中有著至關重要的地位。在終端的設計中，文章采用了體積較小的BD/GPS雙模定位模塊UM220。TC35i模塊作為無線通信模塊。采用C8051F380單片機，一方面可以控制北斗模塊的位置信息的接收，另一方面可以控制無線通信模塊與遠程服務器進行通信。
微電子學最新期刊目錄
低開銷的三節點翻轉容忍鎖存器設計————作者：李九七;徐輝;馬瑞君;黃正峰;梁華國;
摘要：針對鎖存器電路中因電荷共享引起的單粒子三節點翻轉問題，該文提出了一種三節點翻轉加固鎖存器LC-TNUTLD。該鎖存器包括鎖存模塊和攔截模塊兩個部分，鎖存模塊由兩個反饋環路構成，每個環路獨立工作且由四個CGE單元構成；攔截模塊采用由三個C單元組成的雙級攔截結構。通過采用高速傳輸路徑、鐘控門技術以及使用較少的晶體管等設計方法，在保證性能的同時降低成本。仿真結果表明，電路的面積、功耗、平均延時、功耗延時...
基于kT/C噪聲消除和失配誤差整形技術的二階無源噪聲整形SAR ADC設計————作者：傅建軍;宜天格;劉佳欣;蔣和全;
摘要：逐次逼近型（Successive Approximation Register， SAR）模數轉換器（Analog-to-Digital Converter， ADC）是一種結構簡單、對制程演進友好且高能效的ADC結構，然而其精度主要受限于采樣噪聲、數模轉換器（Digital-to-Analog Converter， DAC）失配和比較器噪聲。提出的基于采樣噪聲消除和DAC失配誤差整形技術的噪聲整...
22 nm FDSOI器件單粒子效應仿真研究————作者：黃凱;艾爾肯·阿不都瓦衣提;畢津順;劉雪飛;王剛;劉明強;王德貴;
摘要：基于Synopsys Sentaurus TCAD仿真工具對22 nm全耗盡絕緣體上硅（FDSOI）器件進行單粒子瞬態效應仿真研究。首先研究不同線性能量轉移（LET）值對單粒子瞬態特性的影響，結果表明當LET值從10 MeV·cm2/mg增加到35MeV·cm2/mg，單粒子瞬態電流峰值從180 μA增大到700 μA，脈沖寬度從10 ps增大到13 p...
p-NiO RESURF結構的GaN HEMT特性研究————作者：王菲;徐儒;趙見國;王修坪;許諾;殷瑞;
摘要：為獲得低導通電阻和高擊穿電壓，利用Silvaco-ATLAS軟件設計了一種p-NiO降低表面電場（Reduced Surface Field，RESURF）結構的GaN HEMT。研究結果表明，在電荷平衡條件下，當柵漏間距LGD=9.5 μm時，雙溝道器件的比導通電阻從單溝道器件的2.20 mΩ·cm2顯著降低至1.35 mΩ·cm2 重離子引起漏電退化損傷對SiC MOSFET柵極可靠性的影響————作者：袁其飛;于慶奎;曹爽;孫毅;王賀;張曉;張騰;柏松; 摘要：研究了重離子引起漏電退化損傷對1200 V SiC MOSFET柵極可靠性的影響。結果表明，在Ta離子輻照下，VDS在150 V至200 V時，器件漏電流由納安增加至微安，通過微光顯微鏡（EMMI）發現損傷主要集中在器件的主結區。經過168小時20 V柵壓考核，漏電退化器件柵漏電由幾微安升高至百微安，但最大跨導和轉移特性均無明顯變化。研究同時驗證了在負柵壓輻照條件下，器件柵極更易發生漏電。綜上，本... 1200 V SiC溝槽JBS單粒子燒毀仿真研究————作者：傅成文;黃文德;董小平;劉垚森;馬瑤;黃銘敏;龔敏;楊治美;李蕓; 摘要：碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC SBD）憑借其低功耗、耐高溫、高開關頻率等優異特性，在航天航空領域具有廣闊的應用前景，然而，其抗單粒子燒毀能力遠不如預期。采用二維數值模擬方法，對1200 V 碳化硅溝槽結勢壘肖特基（TJBS）二極管的單粒子燒毀（SEB）效應進行了研究。結果表明，峰值溫度點會隨入射位置變化而遷移，且器件的單粒子敏感區域集中在P+/n-和n-/n+結。針對這些敏感位置，提出具有分層P... 不同特征尺寸微處理器的總劑量效應實驗研究————作者：范恒;梁潤成;陳法國;郭榮;鄭智睿; 摘要：針對不同特征尺寸商用微處理器在總劑量效應失效模式和失效劑量方面的差異，以同一制造商180 nm、90 nm、40 nm特征尺寸的微處理器為研究對象，利用自主研制的可擴展式微處理器總劑量效應在線測試系統，對微處理器在60Co輻照期間的通信、數模信號轉換、非易失性存儲、隨機訪問存儲、直接存儲器訪問、功耗電流、時鐘/定時器等功能的變化情況開展了原位在線測試。實驗結果表明，三種微處理... 具有埋層結構的1200V復合場板VLD型終端設計————作者：邱志勇;馮全源;劉琪琪; 摘要：對于大功率IGBT器件而言，結終端的設計是至關重要的，它影響著器件的擊穿電壓和可靠性。為了提高IGBT器件的整體耐壓及穩定性，本文設計了一種基于埋層（BL）和復合場板（muti-FP）的新型橫向變摻雜（VLD）終端結構。通過優化VLD區注入劑量、埋層JTE注入劑量、金屬場板長度等結構參數，分析了擊穿電壓的變化關系。改善了終端結構的體內電場分布，提高了器件的耐壓及雪崩魯棒性。最終在340μm的終端長... 一種精度量化抖動的真隨機數發生器設計————作者：葉新偉;倪天明;吳昊;聶牧; 摘要：真隨機數發生器（True Random Number Generator， TRNG）在密碼學、統計學、信息技術等領域發揮著不可替代的作用。以環形振蕩器（Ring Oscillator， RO）為基礎的TRNG，由于需要累積足夠的抖動，才能使異或處理后的輸出信號被抖動區域覆蓋，因此消耗大量時間。提出了一種在現場可編程門列陣（Field Programmable Gate Array， FPGA）上... 一種片內集成的鋸齒波振蕩器設計————作者：黃開棟;張濤;劉勁; 摘要：為了給DC-DC電源芯片提供內部時鐘信號，設計了一種基于0.18μm CMOS工藝可片內集成的鋸齒波振蕩器，該振蕩器采用了能夠抑制比較器失調的影響的結構，而且通過低溫漂電路給比較器與供電，降低了溫度對比較器延遲的影響。此外，設計了修調電路對振蕩器電路的工藝偏差、溫度影響進行補償，最終達到較好的溫度特性與工藝穩定性。仿真結果表明，輸出鋸齒波幅值為0.6V～3.2V，頻率為350kHz，-55℃到12... 一種基于同步并發分級聚類的時鐘樹綜合方案————作者：陳陽;張樹鋼;俞澤文;肖建; 摘要：隨著超大規模集成電路（Very Large Scale Integration Circuit，VLSI）制造工藝的快速發展以及其對應集成度的不斷提高，數字集成電路設計迎來了許多挑戰。時鐘樹綜合是數字后端設計的重要部分，現有的時鐘樹綜合算法開始面臨迭代效率變低和收斂速度變慢的問題。因此，本文提出了一種同步并發時鐘樹分級聚類算法（Synchronous Clock-tree Hierarchical... 一種高無源增益低功耗的二階CIFF NS SAR ADC————作者：白創;王澤龍; 摘要：設計了一種一階4倍、二階16倍無源增益的低功耗級聯積分器前饋(CIFF)噪聲整形(NS) SAR ADC。采用基于電荷泵的無源增益技術和多輸入比較器共同實現對衰減殘差信號的補償，解決了無源積分器存在信號衰減，整形效果不佳，精度提升不明顯的問題；DAC采用基于Vcm-based開關策略的電容分裂技術，擺脫對Vcm電平的依賴，消除了該部分電路的功耗；通過上移比較器控制信號的交點，將第二級動態鎖存器的電... 16位 5MS/s高精度兩步式SAR ADC設計————作者：廖玲玲;靳叢羽;劉佳欣; 摘要：基于180nm CMOS工藝，本文設計了一款高精度16位5MS/s的兩步式逐次逼近模數轉換器（SAR ADC）。該ADC采用環形放大器作為級間放大器，實現了93dB的信噪比（SNR）。在電路架構方面，第一級采用6位單端SAR ADC對輸入信號進行最高有效位(MSB)的粗量化，該結構支持滿擺幅的輸入共模電壓范圍。粗量化完成后，進行第一級SAR后4位最低有效位（LSB）的精細量化，精細量化后的殘差電壓... 高速ESD保護低電容雙向SCR————作者：馬超;賈義睿;齊釗;陳泓全;魏敬奇;張波; 摘要：針對在ESD防護中的系統設計對數據接口的傳輸速率與信號頻率越來越高的要求，基于0.5 μm BCD工藝，設計了一種具備低觸發電壓和低電容的雙向SCR器件（LCDDSCR）。相較于常規的傳統雙向SCR器件結構（DDSCR），LCDDSCR結構采用臨界擴散技術減小了P-well區的面積，實現了器件輸入電容的降低。基于SCR器件的齊納觸發特性，通過臨界齊納注入技術引入ZP區使得器件的觸發電壓降低。傳輸線... EOTPR在先進半導體封裝中的應用研究————作者：陳選龍;孔艮永;石高明;賀光輝;劉加豪;林曉玲;李潮; 摘要：傳統時域反射儀（TDR）在應對高密度先進封裝定位時，因分辨率限制，無法精確分辨百微米以下缺陷位置。介紹了電光太赫茲脈沖時域反射儀（EOTPR）的原理，通過采用飛秒激光激發穩定的快速脈沖，產生太赫茲頻段電磁信號，注入被測試器件，同時采用異步電光采樣法快速取樣反射信號，實現了優于65微米分辨率的失效定位。通過采用EOTPR實現了對引線鍵合BGA的埋孔斷裂、FCBGA封裝UBM斷裂、MCM封裝導通孔斷裂... 一種通用型多參量傳感器信號處理電路設計————作者：侯影;李政;劉銘揚;劉偉;李振明;劉昱; 摘要：介紹了一種采用0.18 μm CMOS工藝制作的通用型多參量傳感器信號處理電路，該電路可用于R/C/V型傳感器信號處理。針對R/C/V型傳感器基線差異問題，基于直流伺服環路和電荷守恒原理，設計開關電容式軌到軌電壓型基線補償和輔助鎖定電路，自動消除R/C/V型傳感器靜態基線差異，以拓展傳感器檢測范圍，避免信號處理電路飽和失真。測試結果表明，R/C/V傳感器檢測范圍分別為0 Ω-5 kΩ/0 pF-2... 一種線性增強的低功耗軌到軌運算放大器設計————作者：張子歐;李文昌;鑒海防;阮為;劉劍;張天一;滕瑞;賈晨強;張益翔; 摘要：針對運算放大器Class-AB輸出級存在的信號失真問題，設計并實現了一種線性增強的低功耗軌到軌運算放大器。基于對短溝道引起的非理想高階效應的機理分析，提出了一種線性增強浮動電流源結構，在利用跨導線性環控制功耗的同時，有效降低了電路增益非線性度，減少了信號處理過程中的失真問題。電路采用0.18μm CMOS工藝流片，測試結果表明，芯片實現了軌到軌輸入輸出范圍，增益非線性度為5.5×10-6... 一種具有分段曲率補償的低溫漂帶隙基準————作者：馬阿寧;郭皓;李致璇;張冠茂; 摘要：基于SMIC-130nm工藝，本文設計了一款高階非線性曲率補償且具有較低溫度系數的帶隙基準（Bandgap Reference， BGR）。采用曲率補償技術和分段溫度補償技術，使該BGR具有較低的溫度系數和較寬的溫度范圍。該BGR采用3.5V電源供電，基準輸出電壓為1.2V左右，并根據溫度范圍的不同產生相應的曲率補償電流。仿真結果表明，在-75℃到125℃溫度范圍內，實現了6個溫度補償極值點。補償... 應用于5.8GHz多普勒雷達的高性能接收機————作者：毛勵劍;崔杰;阮穎;陳磊; 摘要：針對5.8GHz多普勒雷達應用，使用HL55nm CMOS工藝設計了一種高性能接收機電路，接收機主要由跨導低噪聲放大器（LNTA）、混頻器（MIXER）、本振緩沖器（LO Buffer）以及跨阻放大器（TIA）組成。該接收機輸入使用變壓器巴倫實現單端轉差分以獲得良好共模噪聲抑制，LNTA采用了輔助支路噪聲抵消技術實現了低噪聲，同時也具有低功耗、無電感、高輸出阻抗的特點；系統層面上，使用占空比的方式... 一種具有高噪聲抗擾度的高速電平移位電路————作者：孫文文;周懷路;王耀; 摘要：針對高壓直流-直流降壓穩壓器的應用，提出了一種高速、高可靠性的高壓自舉柵驅動電平移位電路。通過引入瞬時動態電流實現了低傳輸延遲和低功耗。在浮動電源軌高速切換過程中，電路內部存在的寄生電容的充放電會導致輸出邏輯錯誤。針對此問題，采用一種高速、低功耗的共模噪聲抑制電路，實現了極高的噪聲抗擾度。所提出的電平移位電路基于0.18 μm BCD工藝，使用Cadence完成電路設計仿真與版圖繪制，其有源面積為... 相關電子信息期刊推薦 核心期刊推薦
