電子與封裝

所屬欄目：電子信息期刊熱度：時間：

《電子與封裝》 關(guān)注(): 期刊周期：月刊; 期刊級別：國家級; 國內(nèi)統(tǒng)一刊號：32-1709/TN; 國際標準刊號：1681-1070; 主辦單位：中電科技集團第五十八研究所; 主管單位：中國電子科技集團公司; 上一本期雜志：《電力系統(tǒng)通信》通信工程師論文發(fā)表; 下一本期雜志：《電子信息對抗技術(shù)》計算機科技論文發(fā)表

　　【雜志簡介】

　　《電子與封裝》雜志是目前國內(nèi)唯一一本全面報道封裝與測試技術(shù)、半導(dǎo)體器件和IC設(shè)計與制造技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用以及前沿技術(shù)、市場信息等的技術(shù)性刊物,是中國電子學(xué)會生產(chǎn)技術(shù)學(xué)分會(電子封裝專業(yè))會刊、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會封裝分會會刊。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　ASPT來源刊

　　中國期刊網(wǎng)來源刊

　　【欄目設(shè)置】

　　主要欄目：政策與策略、專家論壇、綜述、封裝與組裝、電路設(shè)計與測試、器件與制造、支撐技術(shù)、產(chǎn)品、應(yīng)用與市場。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　有關(guān)QFN72和CQFN72的熱阻計算賈松良，蔡堅，王謙，丁榮崢，JIA Songliang，CAI Jian，WANG Qian，DING Rongzheng

　　氮化鋁-鋁復(fù)合封裝基板的制備李明鶴，彭雷，王文峰，LI Minghe，PENG Lei，WANG Wenfeng

　　CBGA植球工藝成熟度提升方法的研究黃穎卓，練濱浩，林鵬榮，田玲娟，HUANG Yingzhuo，LIAN Binhao，LIN Pengrong，TIAN Lingjuan

　　基于JC-5600 ATE的單/雙電源運算放大器測試方法趙樺，章慧彬，ZHAO Hua，ZHANG Huibin

　　一種適于FPGA芯片的SRAM單元及外圍電路設(shè)計徐新宇，徐玉婷，林斗勛，XU Xinyu，XU Yuting，LIN Douxun

　　一種新型基準電流源電路設(shè)計黃召軍，朱琪，施斌友，陳鐘鵬，萬書芹，張濤，HUANG Zhaojun，ZHU Qi，SHI Binyou，CHEN Zhongpeng，WAN Shuqin，ZHANG Tao

　　一種低抖動電荷泵鎖相環(huán)頻率合成器楊霄壘，施斌友，黃召軍，季惠才，YANG Xiaolei，SHI Binyou，HUANG Zhaojun，JI Huicai

　　基于虛擬化技術(shù)的FPGA開發(fā)平臺設(shè)計張海平，萬清，ZHANG Haiping，WAN Qin

　　鋁線鍵合的等離子清洗工藝研究鐘小剛，ZHONG Xiaogang

　　CMOS工藝中抗閂鎖技術(shù)的研究朱琪，華夢琪，ZHU Qi，HUA Mengqi

　　外延參數(shù)穩(wěn)定性控制方法王海紅，高翔，WANG Haihong，GAO Xiang

　　電路級熱載流子效應(yīng)仿真研究高國平，曹燕杰，周曉彬，陳菊，GAO Guoping，CAO Yanjie，ZHOU Xiaobin，CHEN Ju

　　高密度SIP設(shè)計可靠性研究王良江，楊芳，陳子逢，WANG Liangjiang，YANG Fang，CHEN Zifeng

　　管理科學(xué)投稿：不銹鋼金相檢驗過程中的電解制樣的應(yīng)用分析

　　摘要：在實際的金相檢驗工作中，通常會采取電解法，將電流通入電解質(zhì)中，通過發(fā)生反應(yīng)對金屬的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有更好的認識，與機械制樣方法相比，該方法首先可以避免拋光時產(chǎn)生的雜質(zhì)，其次速度快，消耗時間少，而且能夠節(jié)約材料，工作效率大大提高，能取得更好的制樣效果，應(yīng)用越來越廣泛。本文對其在金相檢驗中的應(yīng)用進行了簡要分析。

　　關(guān)鍵詞：管理科學(xué),不銹鋼金相檢驗,電解制樣,應(yīng)用分析

　　引言

　　金相指的是金屬內(nèi)部結(jié)構(gòu)的物理或化學(xué)狀態(tài)，反映金相的具體形態(tài)叫做金相組織，主要包括馬氏體、鐵素體、奧氏體等。在制備金相試樣時，主要采取的方法有手工法、機械法以及電解法等。人工法現(xiàn)在已很少用，機械法因為需要進行拋光，往往會在磨光面上出現(xiàn)一些雜質(zhì)，而且需要多次拋光，浪費大量時間。電解法是當(dāng)前較為常見的一種制樣方法，在有色金屬及耐熱不銹鋼等制樣中較為適用，在較短的時間內(nèi)就能完成制樣工作，減輕了勞動量，提高了工作效率，值得推廣應(yīng)用。

　　電子與封裝最新期刊目錄

臨時鍵合工藝中晶圓翹曲研究————作者：李碩;柳博;葉振文;方上聲;陳偉;黃明起;

摘要：在先進封裝領(lǐng)域，包括晶圓減薄、圓片級封裝、三維封裝、晶圓背面加工以及多芯片封裝體的晶圓重構(gòu)等關(guān)鍵工藝中，臨時鍵合技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。針對該技術(shù)在異質(zhì)熱壓鍵合引發(fā)的翹曲進行了深入分析，并提出了解決方案，包括襯底和臨時鍵合膠的優(yōu)選、旋涂工藝的優(yōu)化以及鍵合參數(shù)的調(diào)整，以滿足先進封裝對低翹曲臨時鍵合工藝的需求

一種智能檢測儀表的設(shè)計與實現(xiàn)————作者：陳濤;武明月;位門;周揚;

摘要：針對傳統(tǒng)檢測儀表功能單一、人機交互體驗差等缺點，提出了一種智能檢測儀表的設(shè)計方法，該儀表支持56路信號同步采集，采樣通道數(shù)量比傳統(tǒng)儀表多20倍以上，配備10.1寸電容觸摸顯示屏，通過Qt軟件設(shè)計各種圖形界面，用戶可以通過觸控按鍵切換顯示方式，既可以實時顯示采集的數(shù)據(jù)數(shù)值，也可以將采集數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為直觀的告警信息，儀表還支持通過以太網(wǎng)將數(shù)據(jù)上傳至服務(wù)器端，避免了人工記錄數(shù)據(jù)的繁瑣操作，同時為儀表的迭代升...

隨機振動下QFP封裝加固方式的可靠性研究————作者：郭智鵬;李佳聰;張少華;何文多;

摘要：針對QFP封裝在隨機振動環(huán)境中的可靠性問題，對底部填充、四角加固、底部填充結(jié)合四角加固三種加固方式進行有限元分析，結(jié)合引腳的S-N疲勞曲線計算隨機振動壽命預(yù)測，分析了不同加固方式對封裝器件引腳的應(yīng)力分布及失效規(guī)律。研究表明：底部填充、底部填充結(jié)合四角加固兩種方式器件邊角位置引腳的一次成型處最容易失效，四角加固器件中間位置引腳的一次成型處應(yīng)力集中顯著；器件不加固，四角加固、底部填充、底部填充結(jié)合四角...

一種基于LTCC技術(shù)的低頻小尺寸3 dB電橋————作者：馬濤;王慷;聶夢文;潘園園;

摘要：3 dB電橋在通信系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于微波信號合成與分配。針對小型化和低頻應(yīng)用需求，利用低溫共燒陶瓷工藝開發(fā)一款低頻小尺寸電橋。采用寬邊耦合結(jié)構(gòu)實現(xiàn)3 dB耦合，并調(diào)整線寬實現(xiàn)駐波比和隔離的均衡；采用螺旋和三維繞線結(jié)構(gòu)實現(xiàn)小型化；引入耦合線對地結(jié)構(gòu)進一步降低應(yīng)用頻率。尺寸為標準1206封裝，測試結(jié)果與仿真結(jié)果吻合通帶為330～580 MHz，插入損耗≤1.3 dB，駐波≤1.5，隔離度≥17.9 dB，...

液體環(huán)氧塑封料的應(yīng)用進展————作者：肖思成;李端怡;任茜;王振中;劉金剛;

摘要：綜述了國內(nèi)外液體環(huán)氧塑封料（LEMC）研究與開發(fā)領(lǐng)域中的最新進展狀況。從集成電路先進封裝技術(shù)的發(fā)展對LEMC的性能需求、組成與結(jié)構(gòu)設(shè)計、LEMC的研究與開發(fā)等角度闡述了LEMC在扇出型晶圓級封裝（FOWLP）以及高帶寬存儲器（HBM）中的應(yīng)用進展。最后對LEMC的未來發(fā)展趨勢進行了展望

JESD204B型多通道高速SiP處理芯片的設(shè)計與分析————作者：盛沨;田元波;謝達;

摘要：研究高速系統(tǒng)級封裝（SiP）處理芯片對現(xiàn)代高速數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域的發(fā)展具有重要的實際應(yīng)用價值。針對目前高速處理系統(tǒng)普遍存在通道數(shù)少、集成度低、占用面積大、易受干擾等問題，論文中提出一種以現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）為核心、集八路采集和八路輸出為一體、支持“電子器件工程聯(lián)合委員會標準204B”（JESD204B）標準化串行接口傳輸?shù)母咚賁iP處理芯片。其內(nèi)部的模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）與數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）均為...

一款用于高性能FPGA的多通道HBM2-PHY電路設(shè)計————作者：徐玉婷;孫玉龍;曹正州;張艷飛;

摘要：為了滿足高性能現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）之間的高速、可靠的數(shù)據(jù)傳輸，設(shè)計了一種多通道HBM2-PHY電路。該電路采用12 nm工藝進行設(shè)計，最多支持8個獨立通道和最高1.6 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。通過在HBM2-PHY電路的地址和數(shù)據(jù)路徑中設(shè)計先進先出（FIFO）緩存來提高數(shù)據(jù)的讀寫效率；通過設(shè)計可調(diào)節(jié)的延遲鏈電路，對高速接收和發(fā)送電路中的數(shù)據(jù)采樣時鐘進行調(diào)節(jié)，...

Sn-Pb銅核微焊點液-固界面反應(yīng)及力學(xué)性能研究————作者：丁鈺罡;陳湜;喬媛媛;趙寧;

摘要：Cu核微焊點相比傳統(tǒng)Sn基微焊點具有更好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱及力學(xué)性能，且可有效控制焊點高度。本文首先探究了Sn-Pb合金電沉積工藝，隨后電鍍制備出Cu@Sn-Pb、Cu@Ni@Sn-Pb兩種Cu核微焊球，進一步研究了微焊點在250 ℃下回流的液-固界面反應(yīng)，并探究了微焊點的剪切斷裂機理。結(jié)果表明，Sn-Pb鍍層成分受Pb²⁺濃度、絡(luò)合劑濃度、電流密度以及鍍液溫度等因素影響。鍍液溫度...

大功率LED投光燈死燈、暗亮失效分析探究————作者：馮學(xué)亮;劉興龍;周小霍;吳冰冰;曾志衛(wèi);

摘要：通過失效復(fù)現(xiàn)確認了大功率LED投光燈死燈、暗亮的失效現(xiàn)象。通過對異常燈珠半導(dǎo)體特性測試，確定了燈珠死燈、暗亮的失效模式主要表現(xiàn)為開路及漏電。開路及漏電燈珠外觀檢查，二者晶元位置同一側(cè)均發(fā)現(xiàn)發(fā)黑異常，疑似晶元表面存在燒毀現(xiàn)象。化學(xué)開封后，開路燈珠晶元表面陰極位置均存在電極擊穿燒毀脫開異常，漏電燈珠晶元表面finger位置同樣存在擊穿燒毀現(xiàn)象。經(jīng)對失效燈板上發(fā)光正常燈珠晶元表面FIB及CP-SEM分析...

高效率LSTM硬件加速器設(shè)計與實現(xiàn)————作者：陳鎧;賀傍;滕紫珩;傅玉祥;李世平;

摘要：相比于傳統(tǒng)循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(RNN)，長短期記憶網(wǎng)絡(luò)(LSTM)增加了多個門控單元和記憶單元，可以有效解決傳統(tǒng)RNN網(wǎng)絡(luò)梯度消失和梯度爆炸的問題。由于在處理復(fù)雜序列依賴性問題上具有優(yōu)勢，LSTM網(wǎng)絡(luò)廣泛應(yīng)用于機器翻譯、情感分析、文本分類等自然語言處理應(yīng)用中。隨著智能應(yīng)用復(fù)雜度增加，LSTM網(wǎng)絡(luò)層數(shù)、隱藏層節(jié)點數(shù)的增多，對端側(cè)處理器件的存儲容量、訪存帶寬、處理性能的要求也劇烈增加。論文分析LSTM算法特...

基于循環(huán)內(nèi)聚力模型的TSV界面裂紋擴展模擬研究————作者：黃玉亮;秦飛;吳道偉;李逵;張雨婷;代巖偉;

摘要：TSV界面可靠性問題一直是電子封裝領(lǐng)域關(guān)注的熱點。通過數(shù)值模擬的方法，采用循環(huán)內(nèi)聚力模型研究了溫度循環(huán)載荷下Cu和SiO₂界面損傷開裂問題。首先，在雙線性內(nèi)聚力模型基礎(chǔ)上建立了考慮疲勞損傷的循環(huán)內(nèi)聚力模型，并驗證了模型的合理性。最終，模擬了不同尺寸TSV結(jié)構(gòu)在溫度循環(huán)載荷下Cu和SiO₂界面的損傷開裂現(xiàn)象，并對其規(guī)律進行了研究。研究結(jié)果表明，溫度循環(huán)過程...

四甲基氫氧化銨溶液溫度對硅槽刻蝕的研究————作者：張可可;趙金茹;周立鵬;

摘要：隨著MEMS壓力傳感器應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴展，研究團隊研究了壓力傳感器中關(guān)鍵的應(yīng)力敏感薄膜刻蝕，進行了四甲基氫氧化銨溶液在不同溫度條件下對硅槽刻蝕的試驗，通過臺階測試儀、掃描電子顯微鏡等設(shè)備進行硅槽刻蝕表征測試，分析了溫度對硅槽刻蝕速率、表面形貌、均勻性的影響，得出刻蝕溫度在80 ℃時，最佳均勻性為0.039%，合格率達到92.67%的高平整度硅深槽結(jié)構(gòu)的結(jié)論

2.5D封裝關(guān)鍵技術(shù)的研究進展————作者：馬千里;馬永輝;鐘誠;李曉;廉重;劉志權(quán);

摘要：隨著摩爾定律在晶體管微縮領(lǐng)域逼近物理極限，先進封裝技術(shù)通過系統(tǒng)微型化與異構(gòu)集成，成為突破芯片性能瓶頸的關(guān)鍵路徑。作為先進封裝的核心分支，2.5D封裝通過硅/玻璃中介層實現(xiàn)高密度互連與多芯片異構(gòu)集成，兼具高帶寬、低延遲和小型化優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于人工智能、高性能計算及移動電子領(lǐng)域。本文系統(tǒng)闡述了2.5D封裝的核心結(jié)構(gòu)(如CoWoS、EMIB和I-Cube)及其技術(shù)特征，重點剖析了小芯片(Chiplet)...

面向碳納米管集成電路的新型靜電放電防護結(jié)構(gòu)研究————作者：金浩然;劉俊良;梁海蓮;顧曉峰;

摘要：針對碳基集成電路靜電放電（ESD）防護器件存在失效電流差和失效電壓低等問題，基于柵控電場調(diào)制技術(shù)與動態(tài)電位調(diào)制的協(xié)同設(shè)計理論，系統(tǒng)性地提出了兩種新型碳納米管場效應(yīng)晶體管（CNTFET）ESD防護器件。首先，通過研究傳統(tǒng)CNTFET的直流特性，當(dāng)施加高柵極電壓時，CNTFET處于高阻狀態(tài)特性，符合ESD防護設(shè)計需求。基于此，創(chuàng)新性地提出了柵接漏（GD）CNTFET結(jié)構(gòu)，實驗結(jié)果表明GD-CNTFET...

基于AiP8F7232的無刷電動工具控制器設(shè)計————作者：馬文博;蔡嘉威;羅明;

摘要：針對需求量日益增高的無刷電動工具控制器，結(jié)合當(dāng)前主流設(shè)計要求，設(shè)計了一種基于AiP8F7232微控制器的無刷電動工具控制器設(shè)計方案。該設(shè)計在硬件架構(gòu)設(shè)計上充分結(jié)合AiP8F7232微控制器電機專用外設(shè)特點，簡潔高效、集成度高。軟件架構(gòu)上針對電動工具應(yīng)用特點，設(shè)計了電機驅(qū)動控制策略，控制器保護策略，功能完整度高。通過實驗驗證，所設(shè)計的控制器運行時電機起動無反轉(zhuǎn)，閉環(huán)加速時間小于100 ms、中速段運...

金屬種子層PVD濺射系統(tǒng)在板級先進封裝中的應(yīng)用————作者：張曉軍;李婷;胡小波;楊洪生;陳志強;方安安;

摘要：PVD濺射系統(tǒng)作為板級先進封裝的關(guān)鍵工藝設(shè)備之一，其性能直接影響到封裝質(zhì)量和可靠性。本文介紹了應(yīng)用于大尺寸(510 mm×515 mm及以上）面板級先進封裝的濺射系統(tǒng)，該系統(tǒng)配置了多個單元模塊，降低工藝成本的同時實現(xiàn)連續(xù)自動化濺射鍍膜生產(chǎn)，自研的大尺寸陰極濺射系統(tǒng)可以有效提高沉積速率，同時提升靶材利用率至50%以上；自研冷卻系統(tǒng)能顯著降低基板表面溫度，改善翹曲，實現(xiàn)更精細地控制；此外，510 mm...

三維集成銅-銅低溫鍵合技術(shù)的研究進展————作者：陳桂;邵云皓;屈新萍;

摘要：隨著集成電路制造技術(shù)對高性能、高集成度和低功耗的需求不斷增加，三維集成電路（3D IC）技術(shù)成為提升芯片性能和集成度的有效途徑。金屬Cu具有低電阻率、優(yōu)異的導(dǎo)熱性和抗電遷移能力，能夠提供高效的電氣連接和熱管理性能。低溫銅-銅（Cu-Cu）鍵合技術(shù)因其在高密度互連、良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性方面的優(yōu)勢，成為先進封裝的核心技術(shù)之一，受到廣泛關(guān)注。文中探討了Cu-Cu鍵合技術(shù)面臨的主要挑戰(zhàn)及其解決方案，總結(jié)了...

“第三代半導(dǎo)體功率電子封裝技術(shù)”專題前言————作者：田艷紅;

摘要：<正>以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為首的第三代半導(dǎo)體材料，具有高禁帶寬度、高電子遷移率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢，可以顯著提升高功率電力電子器件的系統(tǒng)性能和可靠性，實現(xiàn)更高效的能源轉(zhuǎn)換、更快速的數(shù)據(jù)傳輸和更強勁的信號傳導(dǎo)，在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，其應(yīng)用范圍涵蓋新能源汽車、光伏儲能、電力傳輸、高速列車以及航空航天等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。根據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測，未來幾年全球第三代半導(dǎo)體器件市場規(guī)模將持續(xù)增...

功率器件封裝用納米銅焊膏及其燒結(jié)技術(shù)研究進展————作者：王秀琦;李一凡;羅子康;陸大世;計紅軍;

摘要：以第三代半導(dǎo)體為核心的功率電子器件向高功率密度、高結(jié)溫方向的發(fā)展對封裝互連材料、工藝及服役條件下的可靠性都提出了嚴苛的挑戰(zhàn)。納米銅（Cu）焊膏具有低成本、抗電遷移性、優(yōu)異的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能和“低溫?zé)Y(jié)、高溫服役”特性，是1種極具工業(yè)化潛力的功率器件封裝候選材料，受到廣大研究者的密切關(guān)注。然而，相比于納米銀（Ag）焊膏，納米銅焊膏的穩(wěn)定性（易氧化）和低溫?zé)Y(jié)性能仍有較大的差距。根據(jù)試驗結(jié)果，從燒結(jié)機理、...

乙基纖維素影響下的微米銀焊膏和納米銀焊膏燒結(jié)對比研究————作者：喻龍波;夏志東;鄧文皓;林文良;周煒;郭福;

摘要：微米銀（Ag MPs）焊膏和納米銀（Ag NPs）焊膏因其低溫?zé)Y(jié)、高溫服役的特點而成為最有可能用于高溫封裝的連接材料。研究了乙基纖維素對Ag MPs和Ag NPs焊膏燒結(jié)結(jié)果的影響，分析了相同條件下2組焊膏燒結(jié)結(jié)果存在差異的原因。結(jié)果表明，在無壓、250℃、空氣條件下，添加質(zhì)量分數(shù)為5%的乙基纖維素，2組焊膏的燒結(jié)性能較好，Ag MPs焊膏燒結(jié)所得接頭強度和薄膜電阻率為8.57 MPa和4.25...

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