發光學報最新期刊目錄

用于高效光提取的深紫外LED封裝體設計與優化————作者：康聞宇;尹君;黃家新;項磊磊;康俊勇;

摘要：針對AlGaN基深紫外LED出光效率低的難題，設計了氟樹脂緊密粘合的石英透鏡封裝結構，有效解決了倒裝結構LED光子從藍寶石襯底出射時較大內全反射損失的難題。研究表明，較薄的界面氟樹脂結合層可形成相對匹配的折射率過渡，實現光子出射最大化，典型250 nm深紫外LED出光強度可提升28%。在此基礎上，設計了具有反射側壁的陶瓷封裝基板，用以提高深紫外LED橫磁（Transverse magnetic, ...

BN量子點與雙戊酸協同誘導生長的Rec.2020標準綠光CsPbBr₃納米晶復合材料————作者：劉漢強;涂永華;魏俊青;謝楊楊;

摘要：CsPbBr₃鈣鈦礦納米晶具備出色的綠光發光特性和低成本制備優勢，是有望滿足超高清顯示色域的重要材料。然而，由于元素成分比例和尺寸控制等多因素影響，CsPbBr₃鈣鈦礦納米晶難以在530 nm附近形成窄綠光發射，從而與Rec.2020色域要求的標準綠光存在明顯偏差。基于此，本工作在室溫下以配體輔助再沉淀法為基礎，通過在前驅體溶液中引入氮化硼量子點和雙戊酸...

氧化鋅基光電化學傳感器研究進展————作者：賀立龍;向敏華;黃澳;董秀秀;徐春祥;

摘要：光電化學（PEC）傳感器具有背景信號低、響應快、靈敏度高的優點，在環境保護和公共健康方面發揮著重要作用。氧化鋅（ZnO）作為一種載流子濃度高、生物相容性良好，并且結構穩定的光電材料，在PEC傳感領域得到了廣泛應用。本文綜述了ZnO及其納米復合材料在PEC傳感領域的研究進展。首先，從調控形貌、利用壓電效應和引入缺陷工程三個方面，介紹了ZnO結構調控的具體措施。其次，從貴金屬和類金屬角度總結了金屬增強...

X射線成像閃爍體光產額測量技術與優化方法————作者：張譽戈;馬舸;萬鵬穎;鮑子臻;歐陽瀟;劉林月;歐陽曉平;

摘要：閃爍成像屏是X射線成像技術的核心部件，其光產額的精確測定對于提升成像系統的空間分辨率和推動新型閃爍體的研發具有至關重要的作用。本文首先概述了X射線成像技術的基本原理，隨后系統地綜述了當前X射線成像閃爍體光產額測量的主要方法。這些方法既包括基于能譜和X射線激發光譜的相對測量法，也涵蓋了利用光電倍增管（PMT）和光電二極管（PD）或雪崩光電二極管（APD）的絕對測量法。同時，本文深入剖析了封裝與耦合技...

鈣鈦礦材料的高能輻照穩定性及損傷機制研究進展————作者：劉曉慶;陸帥;夏夢玲;

摘要：輻照損傷是醫療影像、大科學裝置、航天工業等各領域面臨的共性核心問題，材料的高能輻照穩定性和損傷機理研究是其走向實際應用必不可少的環節。新型鈣鈦礦半導體材料在高能輻射探測領域極具應用前景，但其高能輻照穩定性仍然存在爭議，輻照損傷機理尚不清晰。本文探討了高能輻射環境中鈣鈦礦的損傷機制及影響輻照穩定性的主要因素，并提出了增強鈣鈦礦材料抗輻射能力的潛在策略，旨在獲得鈣鈦礦結構與輻照穩定性的構效關系，為鈣鈦...

AlGaAs插入結構對InAlGaAs/AlGaAs多量子阱發光特性的影響————作者：趙書存;王海珠;王登魁;甘露露;王禎勝;呂明輝;馬曉輝;

摘要：InAlGaAs/AlGaAs多量子阱（MQWs）因其較寬的光譜范圍，在近紅外及可見光區域受到越來越多的關注，并已經成為新興的研究熱點。本研究采用MOCVD生長技術制備InAlGaAs/AlGaAs多量子阱材料，依據選取插入層（ISL）材料時需要考慮的主要因素及理論計算，探究插入層結構對量子阱發光性質的影響。設計并生長了無插入層的InAlGaAs量子阱及不同厚度不同Al組分的AlGaAs插入層。實...

大面積高功率940 nm光子晶體面發射激光器————作者：唐英翔;王超;肖垚;張志成;羅晨;仲崇喜;張燕;趙武;李順峰;王文鑫;王俊;

摘要：光子晶體面發射激光器（PCSEL）可以利用帶邊諧振效應實現大面積相干振蕩，是一種能實現高亮度單模激射的新型半導體激光器。這使得PCSEL在激光雷達與3D傳感等領域具有很好的應用前景。本文設計了一種正方單晶格非對稱錐形空氣孔結構的PCSEL，通過增加光子晶體占空比提高基模與高階模之間的閾值差異，實現大模式面積下高功率單模激光輸出。實驗表明，研制的940 nm PCSEL在10μs脈沖泵浦下輸出功率達...

錫基金屬鹵化物鈣鈦礦：合成、發光性能與LED應用————作者：黃大譽;劉冬杰;黨佩佩;連洪洲;林君;

摘要：發光二極管是新型顯示技術的核心部件，更是新一代信息技術產業之首。鈣鈦礦發光二極管作為最新興起的顯示技術，具有高色純度、廣色域、加工工藝簡單、低成本等優勢，是國內外光電器件領域的研究熱點。然而，需要使用對環境有害的鹵化鉛鈣鈦礦才能實現高功率轉換效率。目前，鹵化錫鈣鈦礦因具有低的激子結合能和良好的電荷載流子遷移率成為最有前途的替代品。由于具有相似的離子半徑與價態，錫（Sn）可以部分或完全替換有毒的鉛（...

新型石榴石基綠色陶瓷顏料Y₃Ga₃MgSiO₁₂:Cr³⁺的合成及顏色性能（英文）————作者：楊斯涵;張騫;趙楚鑫;劉丹荷;宮新嬌;陳禹霏;王雪嬌;

摘要：采用傳統固相法成功合成了新型綠色陶瓷顏料Y₃Ga₃MgSiO₁₂∶xCr³⁺（x=0～0.2）。利用XRD、FE-SEM、UV-Vis光譜、XPS和色度值分析對顏料的性能進行了全面的研究。結果表明，三價鉻離子占據了石榴石晶格中的[Ga1O₆]八面體位置，基質提供的弱晶體場環境賦予了該顏料綠...

ZnO基器件中的負光電導特性研究————作者：張晴怡;楊羽欣;劉凱;王雷;陳峰;徐春祥;

摘要：作為第三代半導體電子器件中最著名的n型金屬氧化物之一，氧化鋅因具有高檢出率、高光學增益、高靈敏度等特點常用于高性能紫外光電探測器的構筑。氧化鋅的光電導行為強烈依賴于其表界面性質和導帶附近的缺陷態對光生載流子的捕獲和去捕獲。研究發現，由于載流子的損耗和缺陷捕獲，在ZnO器件中還能夠觀察到持續光電導現象（Persistent photoconductivity）甚至負光電導（Negative phot...

ZnO基透明導電薄膜————作者：史鈞達;楊汝琪;胡杜楠;劉如敏;余濤;呂建國;

摘要：ZnO是一種典型的第三代半導體材料，寬禁寬度3.37 eV。本征ZnO是一種n型半導體，采用施主元素摻雜技術可以顯著提升其n型導電特性。ZnO基透明導電薄膜具有原料來源豐富、制備方法多樣、可室溫生長等優勢，可應用于光電、傳感、光熱等諸多領域。其中，Al摻雜ZnO(AZO)是一種典型的透明導電氧化物（TCO），備受關注。本文以AZO薄膜為主要代表，綜述了ZnO基透明導電薄膜的最新研究進展，包括摻雜Z...

NaGdMgTeO₆∶Eu³⁺熒光粉的光致發光及其多功能應用————作者：劉芳芳;代正忙;周薇薇;李榮青;夏崢嶸;王子峰;楊密愛;朱浩東;趙旺;

摘要：通過高溫固相法成功合成了NaGdMgTeO₆∶xEu³⁺（x=0.1～1.0）紅色熒光粉，并采用X射線衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）、漫反射光譜（DR）、光致發光光譜（PL）、電致發光光譜（EL）等多種測試手段對其結構形貌、光致發光特性進行了詳細表征。實驗結果表明，在397nm紫外光激發下，NaGdMgTeO₆∶Eu

1550 nm VCSEL硅基光電集成變跡光柵耦合器設計及入射角方向性優化研究————作者：孫松偉;石琳琳;馬超;鄒永剛;范杰;付曦瑤;王玉坤;

摘要：為了打破均勻光柵對稱結構的限制，進一步提高硅基光電集成片上光源的耦合效率。本研究提出基于絕緣襯底上硅結構的高效遞進式光柵耦合器的設計，適用于垂直腔面發射激光器（VCSEL）鍵合到硅光子集成電路，降低了VCSEL光電集成對鍵合角度的工藝難度要求。該方法通過同時改變光柵的周期和占空比，并優化光柵的刻蝕深度，實現了對布拉格條件的調整，使衍射場分布與高斯場分布更為匹配。此外，還優化設計周期與占空比為定值的...

雙分子鈍化埋底界面制備高效鈣鈦礦太陽能電池————作者：文超;陳茜羽;盧穎婕;劉佳澎;姚廣平;王麗丹;蘇子生;

摘要：鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）的電子收集特性是影響器件性能的關鍵因素之一。化學浴沉積法制備的二氧化錫（SnO₂）是PSCs常見的電子傳輸層材料，但是，其表面常存在大量氧空位缺陷，在SnO₂/鈣鈦礦埋底界面處造成非輻射復合損失。本文利用四氯化錫（SnCl₄）和鉻酸銨(（NH₄）₂CrO

氧鋅鎂：從材料特性到紫外探測應用————作者：朱勇學;程禎;劉可為;申德振;

摘要：氧鋅鎂（ZnMgO）是由寬禁帶半導體材料氧化鋅（ZnO）和氧化鎂（MgO）構成的三元合金，作為直接帶隙寬禁帶半導體，其禁帶寬度理論上可在ZnO的3.37 eV和MgO的7.8 eV之間連續可調，并且具有納米結構豐富、制備溫度低、抗輻射能力強、穩定性高等特性，是一種優異的紫外光電探測材料。更為有趣的是，除了上述優點外，ZnMgO還具備壓電性、熱釋電性和鐵電性等豐富的物理性質，為其紫外探測器的應用拓展...

p型MgZnOS透明導電薄膜及其p-n結型自驅動紫外光電探測器研究————作者：郭紫曼;汪洋;劉洋;張騰;陳劍;盧寅梅;何云斌;

摘要：針對純Zn O半導體的p型摻雜難題，提出采用陰(S^2-)陽(Mg²⁺)離子復合取代、協同調控Zn O合金電子能帶結構基礎上，進行N受主摻雜的新思路，并采用脈沖激光沉積法成功制備了N摻雜p型透明導電Mg Zn OS薄膜。通過X射線衍射、透射光譜、霍爾效應、X射線光電子能譜和二次離子質譜測試分析了薄膜的晶體結構、光電學性質及化學組分。實驗結果表明，制備的Mg...

從單晶MgZnO到非晶Ga₂O₃：深紫外光電探測器的發展和選擇————作者：梁會力;朱銳;杜小龍;梅增霞;

摘要：寬帶隙半導體在研制無濾光片緊湊型日盲紫外探測器方面具有極大的發展潛力。本文結合本團隊在分子束外延Mg Zn O單晶薄膜和磁控濺射非晶Ga₂O₃薄膜以及相應日盲紫外探測器的研究經驗，綜述了以Mg Zn O和非晶Ga₂O₃為代表的寬帶隙氧化物半導體深紫外探測器研究進展，發現非晶Ga₂O

氧空位對非晶InGaZnO基肖特基勢壘二極管性能的影響（英文）————作者：賈斌;童曉聞;韓子康;秦明;王立峰;黃曉東;

摘要：整流電路作為交流轉換直流的關鍵組件，在能量收集微系統中發揮著關鍵作用。傳統硅基或鍺基整流二極管因其特殊的制造工藝，阻礙了系統集成。相比之下，金屬氧化物二極管憑借其簡單的制備技術，在系統集成方面展現出優勢。氧化物半導體的氧空位缺陷會對器件的電學性能產生很大影響，因此通過調節氧空位濃度可以有效調控二極管的性能。為優化二極管性能，本研究通過調整濺射過程中的氧氣流量，有效調控In Ga Zn O薄膜中的氧...

ZnO強耦合微腔中的激子極化激元————作者：朱海;王亞琪;王潤晨;董君行;

摘要：ZnO高達60 meV的激子束縛能使其激子能在室溫甚至更高溫度下穩定存在，這使得基于ZnO強耦合微腔的激子極化激元器件可以突破傳統半導體的低溫實驗條件限制，是近十年來研究者所青睞的激子極化激元研究材料。本文介紹了ZnO主要的半導體微腔結構，并聚焦于近年來報道的ZnO強耦合微腔及激子極化激元的相關現象，包括極化激元激光、參量散射以及量子態調控特性，最后對未來的研究方向提出了展望

稀土摻雜金屬氧化物薄膜晶體管研究進展————作者：黃湘蘭;彭俊彪;

摘要：金屬氧化物薄膜晶體管（Metal oxide thin film transistors, MOTFTs）因其具有較高的載流子遷移率和較好的電學穩定性，在大尺寸發光顯示驅動背板應用方面極具潛力。此外，MOTFTs與非晶硅薄膜晶體管的制備工藝兼容，制造成本較低，具有較大市場競爭優勢。然而，衡量MOTFTs性能的兩個關鍵指標——遷移率和穩定性之間的矛盾限制了其高端顯示應用。因此，開發高遷移率兼具高穩定...

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